[单选题]

中子靶是HINEG的核心系统之一，强流离子加速器产生的高功率氘离子束轰击含有氚的中子靶，在靶上发生氘氚聚变反应产生中子。为了产生强流的中子束，靶需要承受高功率离子束的轰击，从而带来靶上高强热流散出的难题。HINEG中子靶承受的热流密度是太阳表面热流密度的3倍。如果散热问题解决不好，靶温度迅速升高，其内含有的氚会快速释放，就无法实现中子的持续稳定产生。靶温升高过快时，甚至会出现瞬间被熔穿烧毁的情形。针对中子靶的高效散热难题，FDS凤麟核能团队发明了阵列射流耦合强剪切场的高效散热技术，并通过反复验证测试，成功实现了高效散热，将靶的温度控制在200℃以内。
下面选项与文段内容相符的是：

A . 中子靶在产生中子束的过程中需要承受高功率离子束的轰击
B . HINEG中子靶最大的特点就是能高效率散热
C . 如果将靶的温度控制在200℃以内，就能达到高效散热的效果
D . HINEG承受的热流密度是太阳表面热流密度的3倍

参考答案： A

参考解析：

第一步：判断题型------本题为细节判断题

第二步：分析题干
根据文段“在靶上发生氘氚聚变反应产生中子”“靶需要承受高功率离子束的轰击”可以得出，A项表述正确，当选。

第三步：分析选项
B选项：原文并没有提到高效率散热是其最大特点，无中生有，所以B错。

C选项：原文中将温度控制在200℃以内是对实现了高效散热的补充说明，不存在条件关系，所以C错。

D选项：原文讲的是HINEG中子靶，偷换概念，所以D错。

故本题选A。